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FDA16N50LDTU

FDA16N50LDTU

僅供參考

型號 FDA16N50LDTU
PNEDA編號 FDA16N50LDTU
描述 UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDA16N50LDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDA16N50LDTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDA16N50LDTU, FDA16N50LDTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 544.58 KB)
PDFFDA16N50LDTU數據表 封面
FDA16N50LDTU數據表 頁面 2 FDA16N50LDTU數據表 頁面 3 FDA16N50LDTU數據表 頁面 4 FDA16N50LDTU數據表 頁面 5 FDA16N50LDTU數據表 頁面 6 FDA16N50LDTU數據表 頁面 7 FDA16N50LDTU數據表 頁面 8 FDA16N50LDTU數據表 頁面 9

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FDA16N50LDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1945pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)205W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN (L-Forming)
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4404pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1465pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 27.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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