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FDA20N50F

FDA20N50F

僅供參考

型號 FDA20N50F
PNEDA編號 FDA20N50F
描述 MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDA20N50F資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDA20N50F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDA20N50F, FDA20N50F數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,532.29 KB)
PDFFDA20N50F數據表 封面
FDA20N50F數據表 頁面 2 FDA20N50F數據表 頁面 3 FDA20N50F數據表 頁面 4 FDA20N50F數據表 頁面 5 FDA20N50F數據表 頁面 6 FDA20N50F數據表 頁面 7 FDA20N50F數據表 頁面 8 FDA20N50F數據表 頁面 9 FDA20N50F數據表 頁面 10

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FDA20N50F規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs65nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)388W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

770mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

495mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.54nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

430mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDU8876

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2080pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

92pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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