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FDA59N25

FDA59N25

僅供參考

型號 FDA59N25
PNEDA編號 FDA59N25
描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDA59N25資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDA59N25
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDA59N25, FDA59N25數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,367.27 KB)
PDFFDA59N25數據表 封面
FDA59N25數據表 頁面 2 FDA59N25數據表 頁面 3 FDA59N25數據表 頁面 4 FDA59N25數據表 頁面 5 FDA59N25數據表 頁面 6 FDA59N25數據表 頁面 7 FDA59N25數據表 頁面 8 FDA59N25數據表 頁面 9 FDA59N25數據表 頁面 10

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FDA59N25規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)59A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs49mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4020pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)392W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

340nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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