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FDB8160-F085

FDB8160-F085

僅供參考

型號 FDB8160-F085
PNEDA編號 FDB8160-F085
描述 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDB8160-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDB8160-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FDB8160-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs243nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11825pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)254W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AB
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6420pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8 V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

128mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

386pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

463mW (Ta), 1.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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