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FDB8896

FDB8896

僅供參考

型號 FDB8896
PNEDA編號 FDB8896
描述 MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDB8896資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDB8896
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDB8896, FDB8896數據表 (總頁數: 13, 大小: 494.12 KB)
PDFFDB8896數據表 封面
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FDB8896規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta), 93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs67nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2525pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AB
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

138W (Tc)

工作溫度

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