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FDBL86066-F085

FDBL86066-F085

僅供參考

型號 FDBL86066-F085
PNEDA編號 FDBL86066-F085
描述 PTNG 100V N-FET TOLL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDBL86066-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDBL86066-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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FDBL86066-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)185A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs69nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3240pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HPSOF
包裝/箱8-PowerSFN

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±22V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

550mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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17Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

40W (Tc)

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