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FDBL9403-F085

FDBL9403-F085

僅供參考

型號 FDBL9403-F085
PNEDA編號 FDBL9403-F085
描述 MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDBL9403-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDBL9403-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDBL9403-F085, FDBL9403-F085數據表 (總頁數: 6, 大小: 426.02 KB)
PDFFDBL9403-F085數據表 封面
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FDBL9403-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)240A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs188nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)357W (Tj)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HPSOF
包裝/箱8-PowerSFN

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 2A, 4.V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSMT3

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

NP80N04PUG-E1B-AY

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

420A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

315nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

935W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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