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FDC3601N

FDC3601N

僅供參考

型號 FDC3601N
PNEDA編號 FDC3601N
描述 MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC3601N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC3601N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC3601N, FDC3601N數據表 (總頁數: 5, 大小: 304.1 KB)
PDFFDC3601N數據表 封面
FDC3601N數據表 頁面 2 FDC3601N數據表 頁面 3 FDC3601N數據表 頁面 4 FDC3601N數據表 頁面 5

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FDC3601N規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds153pF @ 50V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A, 1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

398pF @ 15V

功率-最大

2W

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2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

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