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FDC6301N

FDC6301N

僅供參考

型號 FDC6301N
PNEDA編號 FDC6301N
描述 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 239,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6301N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6301N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6301N, FDC6301N數據表 (總頁數: 5, 大小: 604.71 KB)
PDFFDC6301N數據表 封面
FDC6301N數據表 頁面 2 FDC6301N數據表 頁面 3 FDC6301N數據表 頁面 4 FDC6301N數據表 頁面 5

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FDC6301N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.5pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

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3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

445mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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