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FDC6303N

FDC6303N

僅供參考

型號 FDC6303N
PNEDA編號 FDC6303N
描述 MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6303N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6303N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6303N, FDC6303N數據表 (總頁數: 7, 大小: 196.14 KB)
PDFFDC6303N數據表 封面
FDC6303N數據表 頁面 2 FDC6303N數據表 頁面 3 FDC6303N數據表 頁面 4 FDC6303N數據表 頁面 5 FDC6303N數據表 頁面 6 FDC6303N數據表 頁面 7

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FDC6303N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)680mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.14W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2137pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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