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FDD20AN06A0

FDD20AN06A0

僅供參考

型號 FDD20AN06A0
PNEDA編號 FDD20AN06A0
描述 MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD20AN06A0資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD20AN06A0
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD20AN06A0, FDD20AN06A0數據表 (總頁數: 11, 大小: 325.51 KB)
PDFFDD20AN06A0-F085數據表 封面
FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 2 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 3 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 4 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 5 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 6 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 7 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 8 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 9 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 10 FDD20AN06A0-F085數據表 頁面 11

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FDD20AN06A0規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds950pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.6A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 44µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

490mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 210mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 290µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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