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FDD6670AL

FDD6670AL

僅供參考

型號 FDD6670AL
PNEDA編號 FDD6670AL
描述 MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD6670AL資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD6670AL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD6670AL, FDD6670AL數據表 (總頁數: 6, 大小: 149.12 KB)
PDFFDD6670AL數據表 封面
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FDD6670AL規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)84A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3845pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-PAK (TO-252)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.1mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 330µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 20V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1125pF @ 800V

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