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FDD6776A

FDD6776A

僅供參考

型號 FDD6776A
PNEDA編號 FDD6776A
描述 MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD6776A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD6776A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD6776A, FDD6776A數據表 (總頁數: 7, 大小: 331.6 KB)
PDFFDD6776A數據表 封面
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FDD6776A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17.7A (Ta), 30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1490pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-PAK (TO-252)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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