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FDD770N15A

FDD770N15A

僅供參考

型號 FDD770N15A
PNEDA編號 FDD770N15A
描述 MOSFET N CH 150V 18A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD770N15A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD770N15A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD770N15A, FDD770N15A數據表 (總頁數: 11, 大小: 871.24 KB)
PDFFDD770N15A數據表 封面
FDD770N15A數據表 頁面 2 FDD770N15A數據表 頁面 3 FDD770N15A數據表 頁面 4 FDD770N15A數據表 頁面 5 FDD770N15A數據表 頁面 6 FDD770N15A數據表 頁面 7 FDD770N15A數據表 頁面 8 FDD770N15A數據表 頁面 9 FDD770N15A數據表 頁面 10 FDD770N15A數據表 頁面 11

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FDD770N15A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs77mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds765pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)56.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

66A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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