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FDD7N20TM

FDD7N20TM

僅供參考

型號 FDD7N20TM
PNEDA編號 FDD7N20TM
描述 MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD7N20TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD7N20TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD7N20TM, FDD7N20TM數據表 (總頁數: 10, 大小: 717.83 KB)
PDFFDD7N20TM數據表 封面
FDD7N20TM數據表 頁面 2 FDD7N20TM數據表 頁面 3 FDD7N20TM數據表 頁面 4 FDD7N20TM數據表 頁面 5 FDD7N20TM數據表 頁面 6 FDD7N20TM數據表 頁面 7 FDD7N20TM數據表 頁面 8 FDD7N20TM數據表 頁面 9 FDD7N20TM數據表 頁面 10

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FDD7N20TM規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs690mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)43W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 50V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

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2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

27.8W (Tc)

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