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FDFMA2P857

FDFMA2P857

僅供參考

型號 FDFMA2P857
PNEDA編號 FDFMA2P857
描述 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDFMA2P857資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDFMA2P857
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDFMA2P857, FDFMA2P857數據表 (總頁數: 8, 大小: 606.15 KB)
PDFFDFMA2P857數據表 封面
FDFMA2P857數據表 頁面 2 FDFMA2P857數據表 頁面 3 FDFMA2P857數據表 頁面 4 FDFMA2P857數據表 頁面 5 FDFMA2P857數據表 頁面 6 FDFMA2P857數據表 頁面 7 FDFMA2P857數據表 頁面 8

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FDFMA2P857規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds435pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-MicroFET (2x2)
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad

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ON Semiconductor

系列

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 93.75W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1320pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 260mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

104pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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90mOhm @ 3.3A, 4.5V

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

860mW (Ta)

工作溫度

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