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FDFMA3N109

FDFMA3N109

僅供參考

型號 FDFMA3N109
PNEDA編號 FDFMA3N109
描述 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 177,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDFMA3N109資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDFMA3N109
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDFMA3N109, FDFMA3N109數據表 (總頁數: 9, 大小: 513.83 KB)
PDFFDFMA3N109數據表 封面
FDFMA3N109數據表 頁面 2 FDFMA3N109數據表 頁面 3 FDFMA3N109數據表 頁面 4 FDFMA3N109數據表 頁面 5 FDFMA3N109數據表 頁面 6 FDFMA3N109數據表 頁面 7 FDFMA3N109數據表 頁面 8 FDFMA3N109數據表 頁面 9

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FDFMA3N109規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-MicroFET (2x2)
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

461pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

56.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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