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FDG312P

FDG312P

僅供參考

型號 FDG312P
PNEDA編號 FDG312P
描述 MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG312P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG312P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDG312P, FDG312P數據表 (總頁數: 5, 大小: 200.37 KB)
PDFFDG312P數據表 封面
FDG312P數據表 頁面 2 FDG312P數據表 頁面 3 FDG312P數據表 頁面 4 FDG312P數據表 頁面 5

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FDG312P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)750mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7100pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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