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FDH444_T50R

FDH444_T50R

僅供參考

型號 FDH444_T50R
PNEDA編號 FDH444_T50R
描述 DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDH444_T50R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDH444_T50R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FDH444_T50R, FDH444_T50R數據表 (總頁數: 3, 大小: 144.61 KB)
PDFFDH444_T50R數據表 封面
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FDH444_T50R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)125V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 300mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 100V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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2.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

30pF @ 5V, 1MHz

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Through Hole

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