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FDMA6023PZT

FDMA6023PZT

僅供參考

型號 FDMA6023PZT
PNEDA編號 FDMA6023PZT
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,630
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMA6023PZT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMA6023PZT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMA6023PZT, FDMA6023PZT數據表 (總頁數: 7, 大小: 355.32 KB)
PDFFDMA6023PZT數據表 封面
FDMA6023PZT數據表 頁面 2 FDMA6023PZT數據表 頁面 3 FDMA6023PZT數據表 頁面 4 FDMA6023PZT數據表 頁面 5 FDMA6023PZT數據表 頁面 6 FDMA6023PZT數據表 頁面 7

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FDMA6023PZT規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds885pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-MicroFET (2x2)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

942pF @ 50V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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