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FDMC8200

FDMC8200

僅供參考

型號 FDMC8200
PNEDA編號 FDMC8200
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 89,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC8200資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC8200
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMC8200, FDMC8200數據表 (總頁數: 13, 大小: 585.26 KB)
PDFFDMC8200數據表 封面
FDMC8200數據表 頁面 2 FDMC8200數據表 頁面 3 FDMC8200數據表 頁面 4 FDMC8200數據表 頁面 5 FDMC8200數據表 頁面 6 FDMC8200數據表 頁面 7 FDMC8200數據表 頁面 8 FDMC8200數據表 頁面 9 FDMC8200數據表 頁面 10 FDMC8200數據表 頁面 11

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FDMC8200規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 12A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 15V
功率-最大700mW, 900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A, 5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

功率-最大

5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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