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FDMC8200S

FDMC8200S

僅供參考

型號 FDMC8200S
PNEDA編號 FDMC8200S
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 107,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC8200S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC8200S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMC8200S, FDMC8200S數據表 (總頁數: 12, 大小: 479.64 KB)
PDFFDMC8200S_F106數據表 封面
FDMC8200S_F106數據表 頁面 2 FDMC8200S_F106數據表 頁面 3 FDMC8200S_F106數據表 頁面 4 FDMC8200S_F106數據表 頁面 5 FDMC8200S_F106數據表 頁面 6 FDMC8200S_F106數據表 頁面 7 FDMC8200S_F106數據表 頁面 8 FDMC8200S_F106數據表 頁面 9 FDMC8200S_F106數據表 頁面 10 FDMC8200S_F106數據表 頁面 11

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FDMC8200S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 8.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 15V
功率-最大700mW, 1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

469pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.42V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1149pF @ 10V

功率-最大

1.8W

工作溫度

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Surface Mount

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

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