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FDMC86265P

FDMC86265P

僅供參考

型號 FDMC86265P
PNEDA編號 FDMC86265P
描述 MOSFET P-CH 150V 1A MLP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC86265P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC86265P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC86265P, FDMC86265P數據表 (總頁數: 8, 大小: 373.47 KB)
PDFFDMC86265P數據表 封面
FDMC86265P數據表 頁面 2 FDMC86265P數據表 頁面 3 FDMC86265P數據表 頁面 4 FDMC86265P數據表 頁面 5 FDMC86265P數據表 頁面 6 FDMC86265P數據表 頁面 7 FDMC86265P數據表 頁面 8

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FDMC86265P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta), 1.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 16W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MLP (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerSMD, Flat Leads

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

335mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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