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FDMC8678S

FDMC8678S

僅供參考

型號 FDMC8678S
PNEDA編號 FDMC8678S
描述 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC8678S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC8678S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC8678S, FDMC8678S數據表 (總頁數: 8, 大小: 305.23 KB)
PDFFDMC8678S數據表 封面
FDMC8678S數據表 頁面 2 FDMC8678S數據表 頁面 3 FDMC8678S數據表 頁面 4 FDMC8678S數據表 頁面 5 FDMC8678S數據表 頁面 6 FDMC8678S數據表 頁面 7 FDMC8678S數據表 頁面 8

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FDMC8678S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2075pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Power33
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 110µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

291nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11168pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263-7

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1308pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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