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FDMC89521L

FDMC89521L

僅供參考

型號 FDMC89521L
PNEDA編號 FDMC89521L
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC89521L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC89521L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMC89521L, FDMC89521L數據表 (總頁數: 8, 大小: 372.37 KB)
PDFFDMC89521L數據表 封面
FDMC89521L數據表 頁面 2 FDMC89521L數據表 頁面 3 FDMC89521L數據表 頁面 4 FDMC89521L數據表 頁面 5 FDMC89521L數據表 頁面 6 FDMC89521L數據表 頁面 7 FDMC89521L數據表 頁面 8

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FDMC89521L規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1635pF @ 30V
功率-最大1.9W (Ta), 16W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V, 62pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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