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FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

僅供參考

型號 FDMD8260LET60
PNEDA編號 FDMD8260LET60
描述 MOSFET 2N-CH 60V 15A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMD8260LET60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMD8260LET60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMD8260LET60, FDMD8260LET60數據表 (總頁數: 8, 大小: 459.63 KB)
PDFFDMD8260LET60數據表 封面
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FDMD8260LET60規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5245pF @ 30V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-PowerWDFN
供應商設備包裝12-Power3.3x5

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 26A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 15V

功率-最大

800mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 25V

功率-最大

180W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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