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FDMS3572

FDMS3572

僅供參考

型號 FDMS3572
PNEDA編號 FDMS3572
描述 MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 271,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS3572資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS3572
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMS3572, FDMS3572數據表 (總頁數: 9, 大小: 632.91 KB)
PDFFDMS3572數據表 封面
FDMS3572數據表 頁面 2 FDMS3572數據表 頁面 3 FDMS3572數據表 頁面 4 FDMS3572數據表 頁面 5 FDMS3572數據表 頁面 6 FDMS3572數據表 頁面 7 FDMS3572數據表 頁面 8 FDMS3572數據表 頁面 9

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FDMS3572規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.8A (Ta), 22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2490pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-MLP (5x6), Power56
包裝/箱8-PowerWDFN

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7624pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1877pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5199pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2120pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 37.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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