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FDMS3686S

FDMS3686S

僅供參考

型號 FDMS3686S
PNEDA編號 FDMS3686S
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS3686S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS3686S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMS3686S, FDMS3686S數據表 (總頁數: 17, 大小: 637.98 KB)
PDFFDMS3686S數據表 封面
FDMS3686S數據表 頁面 2 FDMS3686S數據表 頁面 3 FDMS3686S數據表 頁面 4 FDMS3686S數據表 頁面 5 FDMS3686S數據表 頁面 6 FDMS3686S數據表 頁面 7 FDMS3686S數據表 頁面 8 FDMS3686S數據表 頁面 9 FDMS3686S數據表 頁面 10 FDMS3686S數據表 頁面 11

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FDMS3686S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A, 23A
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1785pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝Power56

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

1.3W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

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