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FDMS8560S

FDMS8560S

僅供參考

型號 FDMS8560S
PNEDA編號 FDMS8560S
描述 MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS8560S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS8560S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMS8560S, FDMS8560S數據表 (總頁數: 9, 大小: 407.52 KB)
PDFFDMS8560S數據表 封面
FDMS8560S數據表 頁面 2 FDMS8560S數據表 頁面 3 FDMS8560S數據表 頁面 4 FDMS8560S數據表 頁面 5 FDMS8560S數據表 頁面 6 FDMS8560S數據表 頁面 7 FDMS8560S數據表 頁面 8 FDMS8560S數據表 頁面 9

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FDMS8560S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®, SyncFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4350pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.47W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

4-XFBGA, CSPBGA

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2772pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

137W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

273nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5682pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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