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FDMS8660S

FDMS8660S

僅供參考

型號 FDMS8660S
PNEDA編號 FDMS8660S
描述 MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS8660S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS8660S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMS8660S, FDMS8660S數據表 (總頁數: 8, 大小: 429.81 KB)
PDFFDMS8660S數據表 封面
FDMS8660S數據表 頁面 2 FDMS8660S數據表 頁面 3 FDMS8660S數據表 頁面 4 FDMS8660S數據表 頁面 5 FDMS8660S數據表 頁面 6 FDMS8660S數據表 頁面 7 FDMS8660S數據表 頁面 8

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FDMS8660S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs113nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4345pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.1W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

ChipFET™

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

279nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10034pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

294W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1008pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.08W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

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