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FDN336P-NL

FDN336P-NL

僅供參考

型號 FDN336P-NL
PNEDA編號 FDN336P-NL
描述 MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDN336P-NL資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDN336P-NL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDN336P-NL, FDN336P-NL數據表 (總頁數: 5, 大小: 196.85 KB)
PDFFDN336P-NL數據表 封面
FDN336P-NL數據表 頁面 2 FDN336P-NL數據表 頁面 3 FDN336P-NL數據表 頁面 4 FDN336P-NL數據表 頁面 5

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FDN336P-NL規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TK17E80W,S1X

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 850µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 5.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

568mW (Ta)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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