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FDN359BN

FDN359BN

僅供參考

型號 FDN359BN
PNEDA編號 FDN359BN
描述 MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 227,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDN359BN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDN359BN
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDN359BN, FDN359BN數據表 (總頁數: 8, 大小: 215.64 KB)
PDFFDN359BN數據表 封面
FDN359BN數據表 頁面 2 FDN359BN數據表 頁面 3 FDN359BN數據表 頁面 4 FDN359BN數據表 頁面 5 FDN359BN數據表 頁面 6 FDN359BN數據表 頁面 7 FDN359BN數據表 頁面 8

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FDN359BN規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227B

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223

包裝/箱

SOT-223-3

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

264nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.1mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

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