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FDN86265P

FDN86265P

僅供參考

型號 FDN86265P
PNEDA編號 FDN86265P
描述 MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 96,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDN86265P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDN86265P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDN86265P, FDN86265P數據表 (總頁數: 8, 大小: 384.73 KB)
PDFFDN86265P數據表 封面
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FDN86265P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)800mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.1nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSOT-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.35mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.46W (Ta), 21.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

27.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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