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FDP047N08-F102

FDP047N08-F102

僅供參考

型號 FDP047N08-F102
PNEDA編號 FDP047N08-F102
描述 MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDP047N08-F102資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDP047N08-F102
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FDP047N08-F102規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)164A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.7Ohm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9415pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)268W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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制造商

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

954pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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