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FDPF4N60NZ

FDPF4N60NZ

僅供參考

型號 FDPF4N60NZ
PNEDA編號 FDPF4N60NZ
描述 MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDPF4N60NZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDPF4N60NZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDPF4N60NZ, FDPF4N60NZ數據表 (總頁數: 11, 大小: 689.46 KB)
PDFFDPF4N60NZ數據表 封面
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FDPF4N60NZ規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET-II™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.8nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-WDFN (3.3x3.3)

包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 8.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

346nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

29000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO263-7-3

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Vishay Siliconix

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 1.66W (Tc)

工作溫度

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

193nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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