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FDS2170N3

FDS2170N3

僅供參考

型號 FDS2170N3
PNEDA編號 FDS2170N3
描述 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS2170N3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS2170N3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS2170N3, FDS2170N3數據表 (總頁數: 6, 大小: 183.03 KB)
PDFFDS2170N3數據表 封面
FDS2170N3數據表 頁面 2 FDS2170N3數據表 頁面 3 FDS2170N3數據表 頁面 4 FDS2170N3數據表 頁面 5 FDS2170N3數據表 頁面 6

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FDS2170N3規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1292pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 113W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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