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FDS3601

FDS3601

僅供參考

型號 FDS3601
PNEDA編號 FDS3601
描述 MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS3601資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS3601
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS3601, FDS3601數據表 (總頁數: 5, 大小: 89.16 KB)
PDFFDS3601數據表 封面
FDS3601數據表 頁面 2 FDS3601數據表 頁面 3 FDS3601數據表 頁面 4 FDS3601數據表 頁面 5

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FDS3601規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds153pF @ 50V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

514pF @ 10V

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