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FDS4501H

FDS4501H

僅供參考

型號 FDS4501H
PNEDA編號 FDS4501H
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS4501H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS4501H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS4501H, FDS4501H數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,500.62 KB)
PDFFDS4501H數據表 封面
FDS4501H數據表 頁面 2 FDS4501H數據表 頁面 3 FDS4501H數據表 頁面 4 FDS4501H數據表 頁面 5 FDS4501H數據表 頁面 6 FDS4501H數據表 頁面 7 FDS4501H數據表 頁面 8 FDS4501H數據表 頁面 9 FDS4501H數據表 頁面 10

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FDS4501H規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A, 5.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1958pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A, 1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

功率-最大

2.7W

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