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FDS6570A

FDS6570A FDS6570A

僅供參考

型號 FDS6570A
PNEDA編號 FDS6570A
描述 MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 46,728
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6570A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6570A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS6570A, FDS6570A數據表 (總頁數: 5, 大小: 205.63 KB)
PDFFDS6570A數據表 封面
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FDS6570A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4700pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263AB

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDP8860

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

222nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12240pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

254W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-TSSOP

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

BUK7606-55A,118

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

378mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

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