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FDS6675

FDS6675 FDS6675

僅供參考

型號 FDS6675
PNEDA編號 FDS6675
描述 MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 73,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6675資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6675
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS6675, FDS6675數據表 (總頁數: 8, 大小: 282.43 KB)
PDFFDS6675數據表 封面
FDS6675數據表 頁面 2 FDS6675數據表 頁面 3 FDS6675數據表 頁面 4 FDS6675數據表 頁面 5 FDS6675數據表 頁面 6 FDS6675數據表 頁面 7 FDS6675數據表 頁面 8

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FDS6675規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® 1212-8

包裝/箱

PowerPAK® 1212-8

PMZB950UPELYL

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DFN1006B-3

包裝/箱

3-XFDFN

STP14NM50N

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

816pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

TO-220-3

SSU1N60BTU-WS

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 450mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

PH2525L,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4470pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

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