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FDS6900AS

FDS6900AS

僅供參考

型號 FDS6900AS
PNEDA編號 FDS6900AS
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6900AS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6900AS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6900AS, FDS6900AS數據表 (總頁數: 11, 大小: 282.21 KB)
PDFFDS6900AS數據表 封面
FDS6900AS數據表 頁面 2 FDS6900AS數據表 頁面 3 FDS6900AS數據表 頁面 4 FDS6900AS數據表 頁面 5 FDS6900AS數據表 頁面 6 FDS6900AS數據表 頁面 7 FDS6900AS數據表 頁面 8 FDS6900AS數據表 頁面 9 FDS6900AS數據表 頁面 10 FDS6900AS數據表 頁面 11

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FDS6900AS規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®, SyncFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A, 8.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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制造商

ON Semiconductor

系列

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 49A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Advanced Linear Devices Inc.

制造商

Advanced Linear Devices Inc.

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

FDMA2002NZ_F130

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

650mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

功率-最大

840mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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