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FDS6912

FDS6912

僅供參考

型號 FDS6912
PNEDA編號 FDS6912
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6912資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6912
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6912, FDS6912數據表 (總頁數: 7, 大小: 189.3 KB)
PDFFDS6912數據表 封面
FDS6912數據表 頁面 2 FDS6912數據表 頁面 3 FDS6912數據表 頁面 4 FDS6912數據表 頁面 5 FDS6912數據表 頁面 6 FDS6912數據表 頁面 7

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FDS6912規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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30V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

功率-最大

1.25W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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