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FDS6961A_F011

FDS6961A_F011

僅供參考

型號 FDS6961A_F011
PNEDA編號 FDS6961A_F011
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6961A_F011資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6961A_F011
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6961A_F011, FDS6961A_F011數據表 (總頁數: 5, 大小: 109.32 KB)
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FDS6961A_F011規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA, 430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

72pF @ 16V

功率-最大

250mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

350mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

52pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

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