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FDS6990AS

FDS6990AS

僅供參考

型號 FDS6990AS
PNEDA編號 FDS6990AS
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 49,314
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6990AS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6990AS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6990AS, FDS6990AS數據表 (總頁數: 10, 大小: 808.1 KB)
PDFFDS6990AS數據表 封面
FDS6990AS數據表 頁面 2 FDS6990AS數據表 頁面 3 FDS6990AS數據表 頁面 4 FDS6990AS數據表 頁面 5 FDS6990AS數據表 頁面 6 FDS6990AS數據表 頁面 7 FDS6990AS數據表 頁面 8 FDS6990AS數據表 頁面 9 FDS6990AS數據表 頁面 10

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FDS6990AS規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®, SyncFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

NTZD5110NT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

294mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24.5pF @ 20V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

SH8K39GZETB

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 30V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W, 1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

NTUD3174NZT5G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.5pF @ 15V

功率-最大

125mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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