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FDS86267P

FDS86267P

僅供參考

型號 FDS86267P
PNEDA編號 FDS86267P
描述 MOSFET P-CH 150V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS86267P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS86267P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS86267P, FDS86267P數據表 (總頁數: 7, 大小: 399.53 KB)
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FDS86267P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs255mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1130pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 450mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

647pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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SOT-23

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2V, 2.8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

225mW (Ta)

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供應商設備包裝

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