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FDU3580

FDU3580

僅供參考

型號 FDU3580
PNEDA編號 FDU3580
描述 MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDU3580資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDU3580
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDU3580, FDU3580數據表 (總頁數: 5, 大小: 119.87 KB)
PDFFDD3580數據表 封面
FDD3580數據表 頁面 2 FDD3580數據表 頁面 3 FDD3580數據表 頁面 4 FDD3580數據表 頁面 5

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FDU3580規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs79nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1760pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

109nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1177pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

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