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FDZ191P_P

FDZ191P_P

僅供參考

型號 FDZ191P_P
PNEDA編號 FDZ191P_P
描述 MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDZ191P_P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDZ191P_P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FDZ191P_P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WLCSP (1.0x1.5)
包裝/箱6-UFBGA, WLCSP

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

173pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

182A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 82A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

203nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9820pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

556W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 12.5A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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