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FDZ375P

FDZ375P

僅供參考

型號 FDZ375P
PNEDA編號 FDZ375P
描述 MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDZ375P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDZ375P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDZ375P, FDZ375P數據表 (總頁數: 8, 大小: 396.24 KB)
PDFFDZ375P數據表 封面
FDZ375P數據表 頁面 2 FDZ375P數據表 頁面 3 FDZ375P數據表 頁面 4 FDZ375P數據表 頁面 5 FDZ375P數據表 頁面 6 FDZ375P數據表 頁面 7 FDZ375P數據表 頁面 8

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FDZ375P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds865pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-WLCSP (1x1)
包裝/箱4-XFBGA, WLCSP

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

82W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

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系列

FETKY™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

FRFET®, QFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

143W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMFS5C430NT1G

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta), 185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 106W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3380pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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