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FERD40H100STS

FERD40H100STS

僅供參考

型號 FERD40H100STS
PNEDA編號 FERD40H100STS
描述 DIODE RECT 100V 40A TO220AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FERD40H100STS資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FERD40H100STS
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FERD40H100STS, FERD40H100STS數據表 (總頁數: 12, 大小: 365.44 KB)
PDFFERD40H100STS數據表 封面
FERD40H100STS數據表 頁面 2 FERD40H100STS數據表 頁面 3 FERD40H100STS數據表 頁面 4 FERD40H100STS數據表 頁面 5 FERD40H100STS數據表 頁面 6 FERD40H100STS數據表 頁面 7 FERD40H100STS數據表 頁面 8 FERD40H100STS數據表 頁面 9 FERD40H100STS數據表 頁面 10 FERD40H100STS數據表 頁面 11

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FERD40H100STS規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型FERD (Field Effect Rectifier Diode)
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果705mV @ 40A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr190µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-3PF

工作溫度-結點

175°C (Max)

MS108E3/TR8

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

135V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 135V

電容@ Vr,F

100pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SPD-2A

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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