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FESB16ATHE3/81

FESB16ATHE3/81

僅供參考

型號 FESB16ATHE3/81
PNEDA編號 FESB16ATHE3-81
描述 DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESB16ATHE3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESB16ATHE3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESB16ATHE3/81, FESB16ATHE3/81數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45數據表 封面
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FESB16ATHE3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F175pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

310ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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650V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

37ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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400V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 62.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

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